Слои: 4
Поверхностная обработка: ЭНИГ
Базовый материал: FR4
Внешний слой W/S: 9/4 мил
Внутренний слой W/S: 7/4 мил
Толщина: 0,8 мм
Мин.диаметр отверстия: 0,2 мм
Специальный процесс: импеданс, полуотверстие
Слои: 6 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 Внешний слой W/S: 4/4 мил Внутренний слой W/S: 4/4 мил Толщина: 1,2 мм Мин.диаметр отверстия: 0,2 мм Специальный процесс: импеданс, полуотверстие
Слои: 4 Поверхностная обработка: LF-HASL Базовый материал: FR4 Внешний слой W/S: 9/6 мил Внутренний слой W/S: 9/5 мил Толщина: 0,8 мм Мин.Диаметр отверстия: 0,3 мм Специальный процесс: полуотверстие
Слои: 4 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 Внешний слой W/S: 4/3 мил Внутренний слой W/S: 6/4 мил Толщина: 0,8 мм Мин.диаметр отверстия: 0,2 мм Специальный процесс: полуотверстие
Слои: 4 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 Внешний слой W/S: 8/4 мил Внутренний слой W/S: 8/4 мил Толщина: 0,6 мм Мин.диаметр отверстия: 0,2 мм Специальный процесс: полуотверстие
Слои: 4 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 Внешний слой W/S: 6/4 мил Внутренний слой W/S: 6/4 мил Толщина: 0,4 мм Мин.диаметр отверстия: 0,6 мм Специальный процесс: импеданс, полуотверстие
Слои: 2 Поверхностная обработка: LF-HASL Базовый материал: FR4 Внешний слой W/S: 9/5 мил Толщина: 1,6 мм Мин.диаметр отверстия: 0,4 мм Специальный процесс: полуотверстие
Слои: 8 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 Внешний слой W/S: 4/3 мил Внутренний слой W/S: 5/4 мил Толщина: 1,6 мм Мин.диаметр отверстия: 0,2 мм
Слои: 4 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 Внешний слой W/S: 4/4 мил Внутренний слой W/S: 4/4 мил Толщина: 0,8 мм Мин.диаметр отверстия: 0,15 мм
+86 13058186932
em01@huihepcb.com
+86 13751177644