Слои: 4 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 Tg150. Внешний слой W/S: 4/4 мил Внутренний слой W/S: 4/4 мил Толщина: 1,0 мм Мин.Диаметр отверстия: 0,25 мм
Слои: 2 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 Tg170. Внешний слой W/S: 7/4 мил Толщина: 0,8 мм Мин.Диаметр отверстия: 0,3 мм
Слои: 10 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: Medium TG FR4. Внешний слой W/S: 4/4 мил Внутренний слой W/S: 4/4 мил Толщина: 1,6 мм Мин.диаметр отверстия: 0,2 мм Специальный процесс: золотой палец
Слои: 16 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: High TG FR4. Внешний слой W/S: 4/4 мил Внутренний слой W/S: 3,5/3,5 мил Толщина: 2,43 мм Мин.диаметр отверстия: 0,75 мм
Слои: 8 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: High TG FR4. Внешний слой W/S: 3,5/4 мил Внутренний слой W/S: 4/3,5 мил Толщина: 1,0 мм Мин.диаметр отверстия: 0,2 мм Специальный процесс: контроль импеданса
Слои: 10 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 TG150. Внешний слой W/S: 9/8 мил Внутренний слой W/S: 6,5/6,5 мил Толщина: 4,0 мм Мин.диаметр отверстия: 0,5 мм
Слои: 14 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: High TG FR4. Внешний слой W/S: 3,5/3,5 мил Внутренний слой W/S: 3/3mil Толщина: 1,6 мм Мин.диаметр отверстия: 0,15 мм Специальный процесс: 0,5CSP
Слои: 6 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: High Tg FR4 Внешний слой W/S: 5/5 мил Внутренний слой W/S: 5/5mil Толщина: 1,0 мм Мин.диаметр отверстия: 0,2 мм Специальный процесс: Золотой палец
Слои: 6 Поверхностная обработка: ЭНИГ Базовый материал: FR4 Tg 170. Внешний слой W/S: 4/4 мил Внутренний слой W/S: 4/4 мил Толщина: 1,6 мм Мин.Диаметр отверстия: 0,3 мм
+86 13058186932
em01@huihepcb.com
+86 13751177644